燒結(jié)溫度對(duì)各類試品 TSC 特性和陷阱分布的影響如下：
1、燒結(jié)溫度對(duì)各類試品的TSC峰值以及陷阱電荷量也有顯著的影響。除C類試品外，其它類試品呈現(xiàn)出隨著燒結(jié)溫度提高，TSC 峰值增大及陷阱電荷量增加這一趨勢(shì)。
2、對(duì)于配方 A、B、C 的試品，隨著燒結(jié)溫度的提高，它們?nèi)匀槐３忠粋€(gè)TSC峰。總體而言，它們的 TSC 主峰的位置朝高溫區(qū)偏移，陷阱能級(jí)也有變深的趨勢(shì)。
3、對(duì)于配方D在三個(gè)燒結(jié)溫度下的三類試品，它們TSC峰的數(shù)量出現(xiàn)了變化，計(jì)算結(jié)果表明，除了主峰陷阱外，還有淺陷阱能級(jí)出現(xiàn)。它們的主峰的位置幾乎沒有變化。
微觀結(jié)構(gòu)可以影響到陶瓷的陷阱分布。燒結(jié)過程是形成陶瓷材料微觀結(jié)構(gòu)很其重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。它是陶瓷生坯在高溫下的致密化過程和現(xiàn)象的總稱。陶瓷生坯隨 著溫度的上升和時(shí)間的延長(zhǎng)，粉體顆粒相互鍵連，晶粒長(zhǎng)大，孔隙（氣孔）和晶界逐漸減少，并且通過物質(zhì)的傳遞，總體積收縮，密度增加，較后成為致密、堅(jiān)硬的具有某種微觀結(jié)構(gòu)的多晶燒結(jié)體，這種現(xiàn)象稱為燒結(jié)。在燒結(jié)過程中，主要發(fā)生晶 粒尺寸及其形狀的變化、氣孔尺寸及其形狀的變化，燒結(jié)完成后，在宏觀上的變化是：體積收縮，致密度提高，強(qiáng)度增加。
根據(jù)陶瓷工程材料學(xué)的知識(shí) ，當(dāng)陶瓷材料的化學(xué)組成確定之后，陶瓷材 料的性能在很大程度上取決于燒結(jié)過程中形成的材料的微觀結(jié)構(gòu)。在顯微鏡下觀察 到的陶瓷組織結(jié)構(gòu)包括晶粒的大小、晶界結(jié)構(gòu)的存在和分布，氣孔的尺寸、形狀和位置，各種雜質(zhì)（包括添加劑）、缺陷和微裂紋的存在形式和分布，晶界的特征等等。 燒結(jié)溫度越高，晶界的遷移率將有所提高，也就是說加快了晶粒生長(zhǎng)的速度。 在較高的溫度下，物質(zhì)的傳遞過程也將加快，氣孔的消失過程當(dāng)然也會(huì)加快，不過 發(fā)展便不一定平衡（并不是剛好等到氣孔消失，晶界才移開，而往往是快速移動(dòng)的 晶界沒等氣孔消失就已離開），有可能將氣孔包裹在晶粒之中。一般的，如果燒結(jié) 溫度較低，則通常需要較長(zhǎng)的保溫時(shí)間；如果燒結(jié)溫度較高，則保溫時(shí)間就可以減 少。保溫時(shí)間的過短或過長(zhǎng)都會(huì)影響晶粒的正常生長(zhǎng)。這些過程會(huì)造成不同的缺陷。 在清華大學(xué)摩擦學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的協(xié)助下，利用該試驗(yàn)室的日立 E450 電子掃描顯微鏡，對(duì)四類試品 HD、MD、MC和 MA的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了觀察。如圖 3.14~3.17 是四類試品的 SEM 圖。采用的較大放大倍數(shù)為10000倍，為了有一個(gè)整體的視角， 同樣給出了在放大倍數(shù)為2000倍的 SEM 圖。
對(duì)于同樣的配方而燒結(jié)溫度不同的試品 MD 和 HD，從它們的 SEM 圖可以觀察 到燒結(jié)溫度所造成的差別。在 1600℃下燒結(jié)的試品 HD 粒徑（約 2µm）明顯大于1500 ℃下燒結(jié)的試品 MD，而且 HD 的晶粒大小差別較大。根據(jù)陷阱的試驗(yàn)結(jié)果可知， 它們之間的陷阱分布也有巨大差異。燒結(jié)溫度越高，晶粒越大，缺陷越多，陷阱密度也越大。